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教育獎助學生37 天後截止

聯華電子科技文教基金會 聯電劉炯朗博士生獎學金 2026

財團法人聯華電子科技文教基金會為紀念劉炯朗院士並培育臺灣半導體研究人才設立「聯電劉炯朗博士生獎學金」,獎勵專職博士班一年級(含)以上、研究領域為半導體元件、製程、材料、設備之相關技術之國內理工學院博士生。每學年新增名額 10 名(不含連續獲獎者),每月獎助新台幣 4 萬元、最長連續 4 年(總額最高 192 萬元)。每年 5 月 1 日至 5 月 31 日於聯電官網受理申請。

最後核對:2026-04-25連結驗證:2026-04-25資料來源:財團法人聯華電子科技文教基金會

政府官方補助,全程免費

本站僅提供整理後的資訊。請務必至下方官方網站或撥打官方電話申辦,過程不會向你收取任何手續費。

準備申請前,先回官方頁面確認最新版

GetGrant 已把條件、金額與流程整理成白話,但正式認定仍以 財團法人聯華電子科技文教基金會 公告為準。

注意:可能與其他補助衝突

  • · 已領有聯電其他獎學金或相同性質之企業全額獎學金者不得重複申請

申請前請致電確認,避免重複申請或違規。

不知道從哪開始?直接打電話問

03-578-2258#37607

聯華電子股份有限公司/聯華電子科技文教基金會(劉小姐承辦)

主管機關

財團法人聯華電子科技文教基金會

哪裡的人可以申請

不限地區

申請截止

2026/05/31

補助金額

最高 192 萬元

你符合資格嗎?

以下條件必須 全部符合,才能申請。

  • 臺灣大學、清華大學、陽明交通大學、成功大學、中山大學、中央大學、中興大學、中正大學、台灣科技大學、台北科技大學等十校理工學院之專職博士班一年級(含)以上學生
  • 研究領域須為半導體元件、製程、材料、設備之相關技術
  • 前一學年學業成績總平均 80 分以上(或同等績點)
  • 經系所推薦或指導教授具名推薦

以下情況不符合:

  • 在職進修博士生不符資格
  • 研究領域不屬半導體相關技術者(如純資訊軟體、純基礎物理)
  • 已領有聯電其他獎學金或相同性質之企業全額獎學金者不得重複申請

補助內容

每位得獎博士生每月獎學金 4 萬元,每年發放 12 個月(48 萬元/年),最長連續贊助 4 年合計 192 萬元;每學年新增名額 10 名(不含連續獲獎者)。

申請步驟

  1. 1於每年 5 月 1 日至 5 月 31 日上聯電官網(https://www.umc.com/zh-TW/Html/scholarships)下載申請表並準備文件
  2. 2由所屬學校系所協助核章後,經學校統一彙整或自行依說明寄送至聯電
  3. 3等待聯電基金會書面審查並安排必要之面談(每年 6-7 月)
  4. 48-9 月公告得獎名單,9 月起按月撥款;連續獲獎者次學年可重新申請續領

必備文件

  • 申請表(聯電官網下載並由系所核章)
  • 歷年成績單與在學證明
  • 研究計畫書(中或英文,5-10 頁,含研究主題、方法、預期貢獻)
  • 指導教授推薦函 1 封
  • 代表著作或專利清單(如有)

要去哪裡辦

聯華電子股份有限公司/聯華電子科技文教基金會(劉小姐承辦)

申請前必讀 · 過來人的 3 個提醒

我們整理了這類補助最常遇到的狀況,幫你少走冤枉路。

準時送件,逾期恕不受理

截止日 2026-05-31,政府機關對「郵戳為憑」的認定很嚴。建議至少提前 7 天送出,遇假日提前。可以線上申請的話優先用線上,避免郵遞延誤。

文件別等到最後才準備(共 5 項)

要備齊 申請表(聯電官網下載並由系所核章)、歷年成績單與在學證明、研究計畫書(中或英文,5-10 頁,含研究主題、方法、預期貢獻)…等。戶籍謄本等需要去戶政事務所申請的文件,最好先備妥再送件。若有「3 個月內」有效期限制的文件,務必在期限內送出全套資料。

獎學金可以同時申請,但發放時擇優

多數獎學金規定「同學年度僅得擇一領取」。若你同時上榜,通常系辦會問你要領哪個。建議先找金額高或條件寬鬆的,小額的可以放棄。GPA 低於 3.0 的同學建議找「弱勢助學金」路線,條件會比「優秀獎學金」寬鬆很多。

容易踩到的雷

  • ·在職進修博士生不符資格
  • ·研究領域不屬半導體相關技術者(如純資訊軟體、純基礎物理)
  • ·已領有聯電其他獎學金或相同性質之企業全額獎學金者不得重複申請
  • ·申請前先確認是否已領取其他類似補助——多數補助規定「同性質不可重複」,若已領過類似款項可能要退費。

這筆補助對誰最實用?

這筆補助最高 192 萬元,以下是幾個學生實際受惠最大的情境。如果你的狀況和這幾種接近,可以優先送件。

適合 ·在學在學學生,家庭收入中等以下、GPA 達要求

獎學金類多數要求 GPA 2.5 以上,金額192 萬元/學期。

清寒助學金 vs 優秀獎學金:清寒看家庭收入、優秀看成績。可以同時送 2–3 件,系辦會擇優審核。

不適合 ·已領取同學年度其他獎助學金的學生

多數獎學金規定「同學年度擇一領取」,同時上榜要自己選擇。

實際領多少?案例試算

情境 1陽明交大電子所博一新生,研究 GAA FET 元件可靠度,獲新增名額連續贊助 4 年

1,920,000 TWD

每月 4 萬 × 12 個月 × 4 學年 = 192 萬元;另獲聯電 2026 暑期實習 3 個月(額外帶薪)。

情境 2成大材料系博三在學生,研究 ALD 高介電常數薄膜,連續獲獎第 2 年

480,000 TWD

本學年獎學金 4 萬 × 12 = 48 萬元(連續獲獎不佔新增名額),合併原已領 1 年共獲 96 萬元;預計可再續領 1-2 年至博士畢業。

常見問題

Q1. 得獎後需要綁定聯電就業或服務年限嗎?
辦法本身為「獎學金」性質,無強制服務或綁約年限,得獎人畢業後可自由選擇進入產業界、學術界或國外就業,聯電並不會要求離職還款。但聯電會主動邀請得獎博士生於暑期實習(帶薪)、參加聯電年度研發 Day、與資深技術主管交流,許多得獎人畢業後自願加入聯電擔任資深工程師或回到聯電 R&D 中心。換言之,聯電以「人才培育」而非「綁約」作為長期投資思維,得獎人若投他公司(台積、英特爾、應材等)也不會被刁難。但若得獎人於獎學金期間轉為非全職博士生(如休學就業),則須停止領取後續款項。
Q2. 我的研究領域是 AI 演算法但用於半導體製程優化,算半導體嗎?
算。辦法定義「研究領域為半導體元件、製程、材料、設備之相關技術」可廣義解讀為:(1) 元件物理(MOSFET、FinFET、GAA、3D NAND、DRAM 等);(2) 製程開發(黃光、蝕刻、薄膜、CMP、封裝);(3) 材料(高介電常數、鐵電、二維材料、化合物半導體);(4) 設備(原子層沉積、離子佈植、檢測量測);(5) 跨域應用:以 AI/ML 解半導體 yield、缺陷分類、製程模型、佈局自動化、可靠度預測等亦明確被接受。建議申請時於研究計畫書清楚說明你的演算法如何具體解決半導體領域的問題,附上與業界(台積、聯電、ASML 等)合作論文或專利更佳。純資訊理論、純社群網路分析則不符。
Q3. 我已經拿了科技部博士生獎學金(如獎勵國內優秀博士生赴頂尖大學交流),還能申請聯電嗎?
原則上可以,辦法僅排除「聯電其他獎學金」與「相同性質之企業全額獎學金」。科技部/國科會的獎學金屬政府獎助,不在排除範圍;台積電、英特爾的博士獎學金屬同類但他社獎助,部分要求互斥需另查該獎學金規範。建議:申請時主動於申請書揭露你目前領取的所有獎助,聯電會評估是否願意「補強」(許多情況下聯電仍願意給予,因金額不衝突);若同時拿到聯電與另一企業獎學金且後者要求互斥,可選擇放棄一者。聯電獎學金月領 4 萬元在企業博士獎學金中屬中上水準,連續 4 年合計 192 萬亦相當可觀。
Q4. 連續獲獎者每年要重新提出申請嗎?條件會變嚴嗎?
需要每學年重新檢核但流程簡化。連續獲獎者(即第 2、3、4 年領獎者)不佔當年新增名額,但仍須提交:(1) 上一學年研究進度報告(含發表論文、會議、合作專利清單)、(2) 學業成績單(保持 80 分以上)、(3) 指導教授續任推薦書。若上一年度未發表任何成果或學業退步明顯,基金會可決議終止後續贊助。實務上絕大多數得獎人皆可順利續領 4 年。連續獲獎條件相比新增名額相對寬鬆,鼓勵長期穩定投入研究。畢業在即(如博四下進入畢業 procedure)者仍可領完該學期獎助;畢業後則自動結束。
Q5. 如果我念的是台清交以外的學校,還可以申請嗎?
目前辦法明確列出「合作學校」共 10 所(台大、清大、陽明交大、成大、中山、中央、中興、中正、台科大、北科大),其他學校(如政大、北醫、輔仁、私立大學)博士生暫不在受理範圍。基金會曾於記者會表示未來可能擴大合作學校,但 2026 學年度仍以原 10 校為限。若你在合作清單外但研究主題確為半導體前瞻技術,可建議指導教授透過聯電產學合作管道接觸基金會詢問特例可能;或考慮申請其他企業獎學金如台積電 TSMC Fellowship、應材 AMAT Scholarship、漢民科技獎學金等。聯電亦另設大學部及碩士生獎學金,部分學校範圍不同,建議查官網最新公告。

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